примесный уровень полупроводника

примесный уровень полупроводника

 

примесный уровень полупроводника
примесный уровень
Локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью.
[ГОСТ 22622-77]

Тематики

  • материалы полупроводниковые

Синонимы

  • примесный уровень


Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.

Игры ⚽ Поможем решить контрольную работу

Смотреть что такое "примесный уровень полупроводника" в других словарях:

  • Примесный уровень полупроводника — 81. Примесный уровень полупроводника Примесный уровень Локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …   Физическая энциклопедия

  • РЕКОМБИНАЦИОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ — (рекомбина ционная люминесценция) люминесценция полупроводника (и диэлектриков), обусловленная рекомбинацией неравновесных электронов и дырок. В отличие от др. видов люминесценции, под Р. и. понимают процесс, к рому предшествует образование… …   Физическая энциклопедия

  • ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… …   Физическая энциклопедия

  • ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… …   Физическая энциклопедия

  • Донор (физика полупроводников) — Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные и многозарядные доноры. Например, в кристаллах элементов IV… …   Википедия

  • Донор (физика) — У этого термина существуют и другие значения, см. Донор. Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники)  примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные… …   Википедия

  • Донор электрона — Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные и многозарядные доноры. Например, в кристаллах элементов IV… …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
… Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»